近日，成都高新区科技创新局公布了《成都高新区2023年第二批拟认定中试平台名单》，经过层层筛选和审核，芯未半导体荣获成都市高新区“高投芯未功率半导体中试平台”认定。

高投芯未功率半导体中试平台由成都高投芯未半导体有限公司建设运营。平台项目占地30亩，总建筑面积2.8万平方米，总投资10亿元，建设分立器件背面加工生产线和功率模块封装测试线，为功率半导体设计公司和科研机构提供从器件制造到模块封装测试的一站式全生命周期的中试服务。

   高投芯未功率半导体中试平台作为目前成都规模最大的功率半导体中试平台，拥有研发经验丰富的芯片技术研发团队和工艺团队100余人，研发团队核心人员由清华大学、中国科学院、复旦大学的博士组成，深耕IGBT芯片技术、应用和产业化10年以上。芯片工艺团队核心人员由全球知名制造企业资深专家构成，从业经历均达10年以上，掌握分立器件背面核心制造技术和先进功率模块高可靠封装测试技术。平台利用自身工艺研发水平和创新研发技术能力帮助中小企业解决研发难题，为其提供IGBT、第三代半导体器件等定制化精准加工制造、参数测试、可靠性分析等成果转化方面的服务。

   平台致力于以功率半导体中试技术研发为特色，对外开放科技成果转化、人才培养、项目孵化、企业培育的新型技术研发与服务基地，形成“中试+科技成果转化+产业科技人才培养+生态企业共享+企业培育孵化”的全链条产业生态布局。

   未来，高新发展将带领芯未半导体进一步加大研发投入、强化研发队伍、提升科技创新实力，努力将其打造为国内领先的功率半导体企业。同时，高新发展也将持续推动芯未半导体与高校、科研院所等合作，加速破解科技成果转化难题，推动成都高新区建设成为具有全国影响力的中试首选地。